ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S4B R7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - S4B R7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - S4B R7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation S4B R7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S4B R7 | MURS240T3G | ES3G R7G | SBR8U60P5Q-13D |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101, SBR® |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | 65 ns | 35 ns | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Super Barrier |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | SMB | DO-214AB (SMC) | PowerDI™ 5 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 2A | 3A | 8A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 330 µA @ 60 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AA, SMB | DO-214AB, SMC | PowerDI™ 5 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 4 A | 1.3 V @ 2 A | 1.3 V @ 3 A | 530 mV @ 8 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 400 V | 400 V | 60 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S4B R7 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ S4B R7 - Taiwan Semiconductor Corporation
MURS240T3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A SMB
S4B-ZR-SM4A-TFJSTES3G R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABSBR8U60P5Q-13DDiodes IncorporatedDIODE SBR 60V 8A POWERDI5 T&R
CDBA5150-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO214AC
S4B-ZR-SM3A-TFJST Sales America Inc.CONN HEADER SMD R/A 4POS 1.5MM
MBRM130LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
1N5819GMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41S4B-PH-SM4-R-TBJST
S4B-EHJST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MM
S4B5A110PJRTexas Instruments
S4B-ZR(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 1.5MMS4B-PH-SM4-TBJST
S4B-XH-A(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MM
VS-MBRA120TRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214ACS4B-XH-AS4B-EH(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MMS4B5A100PJRTexas Instruments| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที